Memori flash adalah bentuk teknologi semi-pass dan memori yang dapat diprogram ulang secara elektrik. Konsep yang sama dapat digunakan dalam sirkuit elektronik untuk menunjukkan solusi yang lengkap secara teknologi. Dalam kehidupan sehari-hari, konsep ini ditetapkan untuk kelas luas perangkat solid-state untuk menyimpan informasi.
Diperlukan
USB flash drive, komputer dengan koneksi internet
instruksi
Langkah 1
Prinsip operasi teknologi ini didasarkan pada perubahan dan registrasi di daerah terisolasi dari muatan listrik dalam struktur semikonduktor. Perubahan muatan seperti itu, yaitu perekaman dan penghapusannya, terjadi dengan bantuan aplikasi yang terletak di antara sumber dan gerbang potensinya yang lebih besar. Dengan demikian, kekuatan medan listrik yang cukup dibuat antara transistor dan saku dalam medan dielektrik yang tipis. Ini adalah bagaimana efek terowongan muncul.
Langkah 2
Sumber daya memori didasarkan pada perubahan muatan. Kadang-kadang dikaitkan dengan efek kumulatif dari fenomena ireversibel dalam strukturnya. Oleh karena itu, jumlah entri terbatas untuk sel flash. Angka ini untuk MLC biasanya 10 ribu unit, dan untuk SLC - hingga 100 ribu unit.
Langkah 3
Waktu penyimpanan data ditentukan oleh berapa lama biaya disimpan, yang biasanya dinyatakan oleh sebagian besar produsen produk rumah tangga. Itu tidak lebih dari sepuluh hingga dua puluh tahun. Meski pihak pabrikan hanya memberikan garansi selama lima tahun pertama. Perlu dicatat, bagaimanapun, bahwa perangkat MLC memiliki periode penyimpanan data yang lebih pendek daripada perangkat SLC.
Langkah 4
Struktur hierarki memori flash dijelaskan oleh fakta berikut. Proses seperti menulis dan menghapus, serta membaca informasi dari flash drive, terjadi dalam blok besar dengan ukuran berbeda. Misalnya, blok hapus lebih besar dari blok tulis, yang pada gilirannya lebih kecil dari blok baca. Ini adalah fitur khas memori flash dari yang klasik. Akibatnya, semua sirkuit mikronya memiliki struktur hierarki yang jelas. Memori dengan demikian dibagi menjadi blok, dan menjadi sektor dan halaman.
Langkah 5
Kecepatan menghapus, membaca dan menulis berbeda. Misalnya, kecepatan penghapusan dapat bervariasi dari satu hingga ratusan milidetik. Itu tergantung pada ukuran informasi yang dihapus. Kecepatan perekaman adalah puluhan atau ratusan mikrodetik. Kecepatan membaca biasanya puluhan nanodetik.
Langkah 6
Fitur penggunaan memori flash ditentukan oleh fitur-fiturnya. Diperbolehkan untuk memproduksi dan menjual sirkuit mikro dengan sejumlah sel memori yang rusak. Untuk membuat persentase ini lebih rendah, setiap halaman dilengkapi dengan blok tambahan kecil.
Langkah 7
Titik lemah dari memori flash adalah jumlah siklus penulisan ulang pada satu halaman terbatas. Situasi menjadi lebih buruk karena fakta bahwa sistem file sering menulis ke lokasi memori yang sama.
